用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计

	用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计
	劳燕锋 ; 吴惠桢
刊名	稀有金属
	2004
期号	03
关键词	GaInAsSb/GaSb 红外探测器 Ⅰ-Ⅴ特性
ISSN号	0258-7076
中文摘要	采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在 5～ 10nm内取值 )的相互关系 :x=0 .3 2 0 13 +0 .0 60 93Lw-0 .0 0 5 3 4Lw2 +0 .0 0 0 17483Lw3,当阱宽为 5～ 10nm ,因而G
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50396]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	劳燕锋,吴惠桢. 用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计[J]. 稀有金属,2004(03).
APA	劳燕锋,&吴惠桢.(2004).用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计.稀有金属(03).
MLA	劳燕锋,et al."用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计".稀有金属 .03(2004).