气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究 | |
徐安怀 ; 陈晓杰 ; 齐鸣 ; 朱福英 | |
刊名 | 功能材料与器件学报
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2004 | |
期号 | 04 |
关键词 | Ni/MH电池 循环寿命 贮氢合金 腐蚀 |
ISSN号 | 1007-4252 |
中文摘要 | 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,以四溴化碳(CBr4)作为碳杂质源,系统研究了InP衬底上碳掺杂p型InGaAs材料的外延生长及其特性,在AsH3压力5.33×104Pa,生长温度500℃条件下获得了空穴浓度高达1×1020/cm3、室温迁移率为45cm2/Vs的重碳掺杂p型In0.53Ga0.47As材料。研究了CBr4和AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂InGaAs外延层组份、空穴浓度和迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50250] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐安怀,陈晓杰,齐鸣,等. 气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究[J]. 功能材料与器件学报,2004(04). |
APA | 徐安怀,陈晓杰,齐鸣,&朱福英.(2004).气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究.功能材料与器件学报(04). |
MLA | 徐安怀,et al."气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究".功能材料与器件学报 .04(2004). |
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