气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究

	气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究
	徐安怀 ; 陈晓杰 ; 齐鸣 ; 朱福英
刊名	功能材料与器件学报
	2004
期号	04
关键词	Ni/MH电池循环寿命贮氢合金腐蚀
ISSN号	1007-4252
中文摘要	采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,以四溴化碳(CBr4)作为碳杂质源,系统研究了InP衬底上碳掺杂p型InGaAs材料的外延生长及其特性,在AsH3压力5.33×104Pa,生长温度500℃条件下获得了空穴浓度高达1×1020/cm3、室温迁移率为45cm2/Vs的重碳掺杂p型In0.53Ga0.47As材料。研究了CBr4和AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂InGaAs外延层组份、空穴浓度和迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50250]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	徐安怀,陈晓杰,齐鸣,等. 气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究[J]. 功能材料与器件学报,2004(04).
APA	徐安怀,陈晓杰,齐鸣,&朱福英.(2004).气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究.功能材料与器件学报(04).
MLA	徐安怀,et al."气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究".功能材料与器件学报 .04(2004).