MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较
陈奶波 ; 邱东江 ; 吴惠桢 ; 张寒洁 ; 鲍世宁 ; 何丕模
刊名红外与毫米波学报
2003
期号05
关键词合金 中间相碳微球 复合电极 锂离子电池
ISSN号1001-9014
中文摘要用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2 条件下制得的样品发生红移
语种中文
公开日期2012-01-06
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50097]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
陈奶波,邱东江,吴惠桢,等. MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较[J]. 红外与毫米波学报,2003(05).
APA 陈奶波,邱东江,吴惠桢,张寒洁,鲍世宁,&何丕模.(2003).MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较.红外与毫米波学报(05).
MLA 陈奶波,et al."MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较".红外与毫米波学报 .05(2003).
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