有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装
黄卫东 ; 王旭洪 ; 盛玫 ; 徐立强 ; Frank Stubhan ; 罗乐 ; 冯涛 ; 王曦 ; 张富民 ; 邹世昌
刊名功能材料与器件学报
2003
期号02
关键词p-n结 离子注入 碲镉汞薄膜
ISSN号1007-4252
中文摘要利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20~180℃的基板温度范围和10~30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机
语种中文
公开日期2012-01-06
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49977]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
黄卫东,王旭洪,盛玫,等. 有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装[J]. 功能材料与器件学报,2003(02).
APA 黄卫东.,王旭洪.,盛玫.,徐立强.,Frank Stubhan.,...&邹世昌.(2003).有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装.功能材料与器件学报(02).
MLA 黄卫东,et al."有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装".功能材料与器件学报 .02(2003).
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