氢等离子体处理——一种有效提高碳纳米管场发射性能的方法

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	氢等离子体处理——一种有效提高碳纳米管场发射性能的方法
	张继华 ; 冯涛 ; 于伟东 ; 王曦 ; 柳湘怀
刊名	光散射学报
	2003
期号	01
关键词	微机电系统(MEMS) 光读出热成像可动微镜阵列法布里-泊罗干涉仪
ISSN号	1004-5929
中文摘要	研究了经氢等离子体处理后多壁碳纳米管的场发射性能。测量了处理前后样品的电流电压特性和表面形貌。结果表明经氢等离子体处理后,发射性能明显改善,发射点密度由未经处理的104/cm2提高到106/cm2。发现了一种新的碳纳米管结构,称之为多结的碳纳米管,并讨论了样品发射性能提高的可能机理。这种处理提供了一种有效提高发射点密度和基于碳纳米管的平板显示器性能的方法,非常适用于低成本大面积场发射阴极的制作。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49869]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张继华,冯涛,于伟东,等. 氢等离子体处理——一种有效提高碳纳米管场发射性能的方法[J]. 光散射学报,2003(01).
APA	张继华,冯涛,于伟东,王曦,&柳湘怀.(2003).氢等离子体处理——一种有效提高碳纳米管场发射性能的方法.光散射学报(01).
MLA	张继华,et al."氢等离子体处理——一种有效提高碳纳米管场发射性能的方法".光散射学报 .01(2003).