| 三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片 | |
| 刘旭焱 ; 张挺 ; 刘卫丽 ; 宋志棠 ; 杜小峰 ; 顾怡峰 ; 成岩 | |
| 2011-05-18 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102064134A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，并使用机械减薄和化学腐蚀的方法实现低温下薄膜材料层转移；然后沉积电阻转换存储材料和导电薄膜，再经过光刻、刻蚀以及化学机械抛光等工艺，获得立体的选通管-电阻存储单元阵列。重复实施上述过程即可实现立体多层结构的电阻存储阵列，本发明中利用等离子体活化室温键合技术可以避免已 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-05-18 |
| 申请日期 | 2010-12-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010572456.7 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49622]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘旭焱,张挺,刘卫丽,等. 三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片. CN102064134A. 2011-05-18. |
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