| 多层堆叠的存储器及其制造方法 | |
| 张挺 ; 宋志棠 ; 刘旭焱 ; 刘波 ; 封松林 | |
| 2011-04-27 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102034804A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-04-27 |
| 申请日期 | 2010-10-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010512040.6 |
| 专利代理 | 王松 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49610]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,宋志棠,刘旭焱,等. 多层堆叠的存储器及其制造方法. CN102034804A. 2011-04-27. |
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