| 用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备 | |
| 顾溢 ; 张永刚 | |
| 2011-02-16 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101976696A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47As吸收层材料且大于常规InP的含铝砷化物材料作为上下接触层材料体系实现拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应。本发明采用宽禁带透明上接触层和下接触层材料体系，可以减小表面复合并提高量子效率，可利用分子束外延方法或金属有机物气相外延方法无需As/P切换而不间断生长，有利于在生长过程中保持平整的表面态，保证材料的高质量生长，可降低器件噪声，具有很好的通用性。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-02-16 |
| 申请日期 | 2010-09-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010292223.1 |
| 专利代理 | 黄志达 ; 谢文凯 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49574]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾溢,张永刚. 用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备. CN101976696A. 2011-02-16. |
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