| 硫系化合物相变材料抛光后清洗液 | |
| 王良咏 ; 宋志棠 ; 刘卫丽 ; 刘波 ; 钟旻 ; 封松林 | |
| 2011-01-05 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101935596A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防腐抑制剂0.0001-20wt％，酸性介质0.2-30wt％，余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液，通过采用两种以上氧化剂的协同作用，大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率，其残留去除速率大大提高，可达9-70nm/min。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-01-05 |
| 申请日期 | 2010-09-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010281508.5 |
| 专利代理 | 许亦琳 ; 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49526]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王良咏,宋志棠,刘卫丽,等. 硫系化合物相变材料抛光后清洗液. CN101935596A. 2011-01-05. |
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