| 一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法 | |
| 程新红 ; 何大伟 ; 王中健 ; 徐大伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 | |
| 2010-12-22 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101924030A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将高阻SOI衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻SOI衬底的上表面原位生长厚度不大于1nm的Al2O3薄膜；步骤三，在所述Al2O3薄膜上原位生长厚度不大于30nm的HfO2薄膜；步骤四，在所述HfO2薄膜上原位沉积吸氧金属盖帽层；步骤五，退火处理。本发明抑制了界面层生长，有利于高k栅介质等效栅氧厚度的减薄，提高了高k栅介质的结晶温度，减少了界面层厚度和界面态密度，改善了高阻SOI上高k栅介质的电学 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-22 |
| 申请日期 | 2010-07-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010231639.2 |
| 专利代理 | 王松 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49480]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,何大伟,王中健,等. 一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法. CN101924030A. 2010-12-22. |
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