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	采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法
	王曦 ; 魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 林成鲁
	2010-05-12
专利国别	中国
专利号	CN101707188A
专利类型	发明
权利人	上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要	一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进
是否PCT专利	是
公开日期	2010-05-12
申请日期	2009-11-27
语种	中文
专利申请号	200910199624.X
专利代理	翟羽
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49470]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式 GB/T 7714	王曦,魏星,王湘,等. 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法. CN101707188A. 2010-05-12.

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