一种基于金硅共晶的低温键合方法 | |
熊斌 ; 荆二荣 ; 王跃林 | |
2010-09-29 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101844740A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种基于金硅共晶的低温键合的方法,包括上基板的制备、下基板的制备以及上、下基板对准键合,其特征在于以金和硅为键合材料,通过加温加压的方式实现了键合。由于Au不易氧化,所以键合界面没有金属氧化层阻碍键合反应。当键合温度大于Au/Si的共晶温度时,反应中会形成液态的AuSi合金,液态的合金不仅会增强硅和金的扩散,还可以消除键合表面粗糙度的影响。同时,非晶硅或多晶硅表面沉积了一层Ti/Au层,其中Ti金属层用于除去硅表面的自然氧化层,使Au/Si反应在键合区域的各个点都发生。更重要的是,该键合方法不仅 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2010-09-29 |
申请日期 | 2010-06-01 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 201010189314.2 |
专利代理 | 潘振甦 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49442] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊斌,荆二荣,王跃林. 一种基于金硅共晶的低温键合方法. CN101844740A. 2010-09-29. |
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