| 一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法 | |
| 杜小锋 ; 马小波 ; 宋志棠 ; 刘卫丽 | |
| 2010-09-15 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101834273A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层、位于第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层、被第二绝缘介质层包围并位于过渡层上的下电极、位于第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层、被第三绝缘介质层包围并位于下电极上的相变材料层和位于相变材料层上的上电极；所述的过渡层的热导率为0.01W/m·K～20W/m·K。该结构可有效地减少从下电极的热损耗， |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-09-15 |
| 申请日期 | 2010-01-28 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010102213.7 |
| 专利代理 | 李仪萍 ; 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49426]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜小锋,马小波,宋志棠,等. 一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法. CN101834273A. 2010-09-15. |
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