| 一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺 | |
| 肖德元 ; 王曦 ; 陈静 | |
| 2010-07-07 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101771051A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺。其结构包括位于埋层氧化层上的N型半导体区、位于N型半导体区上的P型半导体区以及位于P型半导体区上的栅极区，P型半导体区、N型半导体区四周设有电隔离区。利用隔离的浮体栅二极管作存储节点，通过带与带间的隧道穿透，空穴在浮体积聚定义为第一种存储状态；通过PN结正向偏置，空穴从浮体发射出去或者电子注入到浮体，定义为第二种存储状态；这两种状态造成浮体栅二极管(P+/N+)正向开启电压的差异，通过电流的大小可以感知。本发明是一种高效低功耗高密度栅二极管(P+/ |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-07-07 |
| 申请日期 | 2009-12-25 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910200964.X |
| 专利代理 | 李仪萍 ; 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49348]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖德元,王曦,陈静. 一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺. CN101771051A. 2010-07-07. |
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