具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法 | |
魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
2010-04-07 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101692436A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 一种具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法,包括如下步骤:提供一半导体衬底,所述半导体衬底包括第一锗硅层与支撑衬底,所述第一锗硅层具有第一晶向,支撑衬底具有第二晶向;在第一锗硅层中形成生长窗口;在生长窗口侧壁的表面形成侧墙;在生长窗口中外延生长第二锗硅层;抛光第一与第二锗硅层;注入氧离子至半导体衬底中并退火;在第一与第二锗硅层表面生长具有第一应变硅层与第二应变硅层。本发明的优点在于,保证了所有的器件层的下方都有绝缘埋层,以实现器件层和衬底之间的介质隔离。并且能够保持应变硅的应变程度,避免其在后续工艺中由 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2010-04-07 |
申请日期 | 2009-10-13 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200910197073.3 |
专利代理 | 翟羽 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49268] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,李显元,等. 具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法. CN101692436A. 2010-04-07. |
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