| 具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法 | |
| 魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
| 2010-04-07 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101692436A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一锗硅层与支撑衬底，所述第一锗硅层具有第一晶向，支撑衬底具有第二晶向；在第一锗硅层中形成生长窗口；在生长窗口侧壁的表面形成侧墙；在生长窗口中外延生长第二锗硅层；抛光第一与第二锗硅层；注入氧离子至半导体衬底中并退火；在第一与第二锗硅层表面生长具有第一应变硅层与第二应变硅层。本发明的优点在于，保证了所有的器件层的下方都有绝缘埋层，以实现器件层和衬底之间的介质隔离。并且能够保持应变硅的应变程度，避免其在后续工艺中由 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-04-07 |
| 申请日期 | 2009-10-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910197073.3 |
| 专利代理 | 翟羽 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49268]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,李显元,等. 具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法. CN101692436A. 2010-04-07. |
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