非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法 | |
熊斌 ; 徐德辉 ; 王跃林 | |
2010-04-07 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101691200A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法,其特征在于所述低温真空封装的结构包括1)一包含悬浮红外敏感元件的硅基底传感器芯片;2)一包含凹腔结构硅基底红外滤光片盖板;3)包含凹腔结构红外滤光片盖板通过真空圆片对准键合固定在硅基底传感器芯片上,两者组成一个完整的非致冷红外探测器。本发明的制作是利用圆片级低温对准键合技术将包含红外敏感元件的硅衬底圆片与包含红外滤光薄膜的硅衬底圆片进行低温真空键合,实现了探测器红外滤光片与探测器的红外敏感元件制作工艺的集成。不仅可以保护红外敏感元件免受外界的污染 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2010-04-07 |
申请日期 | 2009-09-29 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200910196795.7 |
专利代理 | 潘振甦 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49264] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊斌,徐德辉,王跃林. 非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法. CN101691200A. 2010-04-07. |
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