| 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 | |
| 程新红 ; 何大伟 ; 王中健 ; 徐大伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 | |
| 2010-12-15 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101916761A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述SOI包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。本发明可以将器件内部产生的热量通过导电层迅速排至外部，有效减小SOI的自热效应；而且使非绝缘性的衬底效果和完全绝缘的衬底一样；此外其可以释放界面积聚的多余电荷，缓解纵向电场对器件内部电荷分布的影响。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-15 |
| 申请日期 | 2010-07-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010231684.8 |
| 专利代理 | 王松 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49250]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,何大伟,王中健,等. 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺. CN101916761A. 2010-12-15. |
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