| 相变存储器的数据读出方法及读出电路 | |
| 李喜 ; 陈后鹏 ; 宋志棠 | |
| 2010-12-15 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101916590A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路，当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电操作，由此可解决相变存储器在读出时由于位线寄生电容大而无法快速读出的问题，有效提高数据的读出速度。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-15 |
| 申请日期 | 2010-08-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010258113.3 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49236]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李喜,陈后鹏,宋志棠. 相变存储器的数据读出方法及读出电路. CN101916590A. 2010-12-15. |
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