| 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法 | |
| 魏星 ; 王湘 ; 杨建 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
| 2010-12-01 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101901753A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底；采用研磨减薄工艺修正所述支撑衬底，以减小衬底的总厚度偏差；抛光支撑衬底表面以降低粗糙度；将支撑衬底与器件层衬底通过一绝缘层键合在一起；将器件层衬底减薄至其厚度与最终器件层目标厚度差的范围是1μm至10μm；抛光减薄后的器件层衬底。本发明的优点在于，通过引入衬底修正的方法对支撑衬底的均匀性进行修正，以提高最终衬底的顶层半导体层的厚度均匀性。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-01 |
| 申请日期 | 2010-06-25 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010211396.6 |
| 专利代理 | 翟羽 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49220]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,杨建,等. 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法. CN101901753A. 2010-12-01. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论