| 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用 | |
| 张泽芳 ; 刘卫丽 ; 宋志棠 | |
| 2010-03-03 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101659850 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用。本发明采用硅烷偶联剂氨丙基三 乙氧基硅烷对纳米氧化铈粉末进行改性。由改性后的氧化铈配制成的抛光液，对超大规模 集成电路二氧化硅层间介质和光盘玻璃进行抛光，可明显降低表面的粗糙度。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-03-03 |
| 申请日期 | 2009-09-22 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910196102.4 |
| 专利代理 | 许亦琳 ; 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49182]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张泽芳,刘卫丽,宋志棠. 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用. CN101659850. 2010-03-03. |
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