| 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 | |
| 魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
| 2009-12-30 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101615590 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，包括如下步骤：提供 掺杂的单晶硅衬底；在单晶硅衬底表面生长非掺杂的本征单晶硅层；在本征单 晶硅层表面生长器件层；提供支撑衬底；生长绝缘层；将单晶硅衬底和支撑衬 底键合；采用选择性腐蚀工艺除去掺杂的单晶硅衬底；去除本征单晶硅层。本 发明的优点在于，采用了本征单晶硅层作为腐蚀的自停止层，并在后续工艺中 通过热氧化等方法将其除去，因此本发明所提供的技术方案可以用于制备具有 任意电阻率顶层硅的绝缘体上硅衬底。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-12-30 |
| 申请日期 | 2009-07-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910055733.4 |
| 专利代理 | 翟 羽 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49147]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,李显元,等. 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法. CN101615590. 2009-12-30. |
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