| 一种制备混合晶向半导体衬底的方法 | |
| 魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
| 2009-12-23 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101609800 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种制备混合晶向半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所 述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑 衬底，所述第二半导体支撑衬底表面具有第二晶面；在第一半导体层或者第二 半导体支撑衬底表面形成媒介层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底 的表面均形成媒介层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐 蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层；对键合后衬底进行退火。本发明的优点在于， 利用高温退火消除键合界面的由亲水键合导致的自然氧化层的办法，能够制备 出全局混合晶向体硅衬底 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-12-23 |
| 申请日期 | 2009-06-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910053504.9 |
| 专利代理 | 翟 羽 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49145]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,李显元,等. 一种制备混合晶向半导体衬底的方法. CN101609800. 2009-12-23. |
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