| 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法 | |
| 魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
| 2009-12-16 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101604657 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑 衬底；将第一离子注入单晶硅支撑衬底中；退火，从而在单晶硅支撑衬底中形 成第一绝缘层以及第一单晶硅层；提供第一键合衬底；在第一键合衬底表的表 面形成第二单晶硅层；在第二单晶硅层表面形成第二绝缘层；以第二绝缘层远 离第一键合衬底的表面以及第一单晶硅层远离单晶硅支撑衬底的表面为键合 面，进行键合操作；移除第一键合衬底。本发明的优点在于，采用注入工艺形 成第一单晶硅层，从而能够避免边缘碎裂的问题，并且注入工艺可以减少机械 抛光和键合的次数，从而提高 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-12-16 |
| 申请日期 | 2009-06-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910053503.4 |
| 专利代理 | 翟 羽 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49139]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,李显元,等. 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法. CN101604657. 2009-12-16. |
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