一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法 | |
魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
2009-12-16 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101604631 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法,包括如下步骤:提供键合衬 底,所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层;提供第二半导 体支撑衬底;在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成绝缘埋层,或 者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成绝缘埋层;将第二半导 体支撑衬底与键合衬底键合;采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层。 本发明的优点在于,利用带有腐蚀停止层的多层结构键合衬底同支撑衬底相键 合,以获得混合晶向衬底;由于采用了腐蚀停止层控制减薄工艺,因此该混合 晶向衬底顶层半导体厚度均 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2009-12-16 |
申请日期 | 2009-06-19 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200910053505.3 |
专利代理 | 翟 羽 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49137] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,李显元,等. 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法. CN101604631. 2009-12-16. |
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