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	一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法
	魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁
	2009-12-16
专利国别	中国
专利号	CN101604631
专利类型	发明
权利人	上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要	一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供键合衬 底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导 体支撑衬底；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成绝缘埋层，或 者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成绝缘埋层；将第二半导 体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层。 本发明的优点在于，利用带有腐蚀停止层的多层结构键合衬底同支撑衬底相键 合，以获得混合晶向衬底；由于采用了腐蚀停止层控制减薄工艺，因此该混合 晶向衬底顶层半导体厚度均
是否PCT专利	是
公开日期	2009-12-16
申请日期	2009-06-19
语种	中文
专利申请号	200910053505.3
专利代理	翟 羽
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49137]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式 GB/T 7714	魏星,王湘,李显元,等. 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法. CN101604631. 2009-12-16.

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