集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法 | |
张挺 ; 宋志棠 ; 顾怡峰 ; 刘波 ; 张复雄 ; 向阳辉 ; 封松林 ; 陈邦明 | |
2009-12-02 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101593765 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片,在单一的存储芯片内,集成 有多个的存储模块,这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不 同的数据保持能力等。在存储器,特别是嵌入式存储器的使用过程中,充分发挥各种性能 不同存储模块的优势:对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储,对于长时间保存 的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储,对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特 性的模块进行存储。 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2009-12-02 |
申请日期 | 2009-06-26 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200910053998.0 |
专利代理 | 黄志达 ; 宋 缨 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49131] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,宋志棠,顾怡峰,等. 集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法. CN101593765. 2009-12-02. |
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