集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法
张挺 ; 宋志棠 ; 顾怡峰 ; 刘波 ; 张复雄 ; 向阳辉 ; 封松林 ; 陈邦明
2009-12-02
专利国别中国
专利号CN101593765
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片,在单一的存储芯片内,集成 有多个的存储模块,这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不 同的数据保持能力等。在存储器,特别是嵌入式存储器的使用过程中,充分发挥各种性能 不同存储模块的优势:对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储,对于长时间保存 的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储,对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特 性的模块进行存储。
是否PCT专利
公开日期2009-12-02
申请日期2009-06-26
语种中文
专利申请号200910053998.0
专利代理黄志达 ; 宋 缨
内容类型专利
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49131]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
张挺,宋志棠,顾怡峰,等. 集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法. CN101593765. 2009-12-02.
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