| 相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法 | |
| 吴良才 ; 宋志棠 | |
| 2009-11-04 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101572292 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提出一种相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方 法，即由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物(简称阻变材料)组成叠层 存储单元结构实现多态存储。相变材料在电脉冲作用下可以发生非晶(高阻)、 多晶(低阻)可逆转变，阻变材料在电脉冲作用下也可以发生高阻态、低阻 态的可逆变化。二者结合可以产生三个及三个以上的阻态，从而实现多态存 储。器件单元结构由上电极、存储介质(由相变材料和阻变材料形成的两层 及两层以上叠层结构)、导电塞、底电极、衬底等组成。本发明的目的是提出 一种实现多态存储的方法及器件结构和 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-11-04 |
| 申请日期 | 2009-06-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910053040.1 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49105]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴良才,宋志棠. 相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法. CN101572292. 2009-11-04. |
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