| 具有新型电极结构的相变存储器的制备方法 | |
| 吕士龙 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 | |
| 2009-08-12 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101504969 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种具有新型电极结构的相变存储器的制备方法，包括如下步 骤：在硅片上面应用化学气相沉积的方法制备一层SixN介质层；依次沉积Al 层、Ti层、TiN层，使其作为底层电极；在上述底层电极上使用超高真空电子束 蒸发法制备SixO作为绝缘层；旋涂负性抗蚀剂；利用电子束曝光制备设定长度 直径圆的阵列以及后续光刻的对准标记；刻蚀所述氧化硅，形成氧化硅柱的阵列； 使用化学气相沉积法沉积金属材料钨，使其均匀包裹氧化硅柱；沉积相变材料； 沉积氧化硅作为介质保护层；氧化硅开孔；顶层电极制备。本发明可以有效地降 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-08-12 |
| 申请日期 | 2009-01-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910045441.2 |
| 专利代理 | 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49051]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕士龙,宋志棠,刘波,等. 具有新型电极结构的相变存储器的制备方法. CN101504969. 2009-08-12. |
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