| 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法 | |
| 宋志棠 ; 刘卫丽 ; 陈超 | |
| 2009-06-24 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101465324 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明揭示一种实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法，该方法首先采用室温等离 子体活化键合技术将有外围电路的硅片与外延了pn结的SOI片键合；并在150℃-400℃下低 温退火，以加强键合强度；然后用KOH溶液腐蚀掉SOI片的体硅部分，并且腐蚀自动停止在 埋氧层，用稀释的HF酸溶液漂掉埋氧层，从而使pn结外延层转移到有外围电路的硅片上， 在硅外延层上沉积阻挡层、相变材料，最后通过反应离子刻蚀得到想要的单元器件结构，该 结构适用于高密度、高速存储。本发明通过室温等离子活化键合技术使得在低于400℃的退火 条 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-06-24 |
| 申请日期 | 2008-12-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810204987.3 |
| 专利代理 | 余明伟 ; 冯 珺 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48993]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,刘卫丽,陈超. 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法. CN101465324. 2009-06-24. |
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