| 一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法 | |
| 郭旭光 ; 曹俊诚 | |
| 2009-03-11 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | N101383305 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于利用稀磁半导体中的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒高，对耦合多量子阱进行测量。并以Zn0.8Cd0.2/ZnSe对称耦合三量子阱为例，在理论上对实验方案的有效性进行了验证。利用本发明提供的方法，有效地降低了样品制备的要求和工作量，提高了实验精度。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009 |
| 申请日期 | 2007-09-07 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710045700.2 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48937]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭旭光,曹俊诚. 一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法. N101383305. 2009-03-11. |
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