| 同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法 | |
| 饶伏波 ; 李铁 ; 王跃林 ; 张志祥 ; 金钦华 | |
| 2009-02-04 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101357757 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法， 属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或 SiO2的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气 为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中实现多方向水平定 向单壁碳纳米管阵列的生长。本发明提供的方法可以在衬底上同时获得多个 方向水平定向生长的单壁碳纳米管阵列，且操作简单。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-02-04 |
| 申请日期 | 2008-01-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810032805.9 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48915]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 饶伏波,李铁,王跃林,等. 同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法. CN101357757. 2009-02-04. |
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