| 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法 | |
| 吴良才 ; 宋志棠 ; 饶峰 ; 封松林 | |
| 2008-12-31 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101335328 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种相变存储器器件单元结构及其制作方法，其特征在于将 器件单元中的相变材料和加热电极的横向尺度控制在同一纳米区域范围，构 成小加热电极操作小相变材料的结构。其制作方法是首先在衬底上制备介质 材料层，然后通过标准的深亚微米工艺或FIB技术在介质材料层中制作出相 变存储单元的加热电极，接着进行化学机械抛光，形成镶嵌在介质材料中的 纳米加热电极，最后将加热电极顶部刻蚀掉一定厚度，从而在电极上端形成 介质孔洞，在孔洞中填充相变材料，引出上电极，最终形成同时具有小电极 和小相变材料的存储单元结构。优点是将 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-12-31 |
| 申请日期 | 2008-08-05 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810041393.5 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48885]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴良才,宋志棠,饶峰,等. 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法. CN101335328. 2008-12-31. |
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