一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法
宋志棠 ; 丁晟 ; 陈邦明 ; 刘波 ; 陈小刚 ; 蔡道林 ; 封松林
2008-12-24
专利国别中国
专利号CN101329907
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法,在进行当前编程操作的同时, 预读下一位或多位待编程的地址位,将其数据与待编程数据相比较:如果待写入数据与存储 器原始存入数据相同,则不进行编程操作;如果待写入数据与存储器原始存入数据不同,则 进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态,按照概率理论,待写入数据 与存储器原始数据相同的概率为50%,故该方法能够降低存储芯片50%的功耗,提高了存储 单元的存储寿命,同时擦、写时间比读的时间要长,因此该发明也可提高芯片的存储速度。
是否PCT专利
公开日期2008-12-24
申请日期2008-07-24
语种中文
专利申请号200810040950.1
专利代理余明伟
内容类型专利
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48873]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
宋志棠,丁晟,陈邦明,等. 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法. CN101329907. 2008-12-24.
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