| 绝缘体上硅基三维楔形模斑转换器及其制备方法 | |
| 方娜 ; 杨志峰 ; 武爱民 ; 陈静 ; 王曦 | |
| 2008-11-19 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101308230 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种基于微机械加工的SOI(绝缘体上硅)基三维楔形模斑转换器及制作 方法，用于光纤等光源设备与硅基波导等小尺寸光电子器件的高效耦合。该模斑转换器的 制作利用硅晶片不同晶面的选择性腐蚀特性，采用体硅微机械加工工艺实现，属微电子学 与固体电子学领域。本发明采用SOI材料，利用光刻、各向异性腐蚀和干法刻蚀等微机械 工艺进行加工制作，得到在垂直和水平方向均有线性变化的三维楔形模斑转换器结构，可 以有效提高通用光纤和小尺寸平面波导等光学及光电子器件的耦合效率。本发明的制作方 法具有工艺简单，兼容性好，可控 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-11-19 |
| 申请日期 | 2008-07-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810040173.0 |
| 专利代理 | 黄志达 ; 宋 缨 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48849]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方娜,杨志峰,武爱民,等. 绝缘体上硅基三维楔形模斑转换器及其制备方法. CN101308230. 2008-11-19. |
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