相变存储器驱动电路 | |
宋志棠 ; 沈菊 ; 刘波 ; 封松林 | |
2008-10-15 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101286363 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种相变存储器驱动电路,其特征在于采用两级电流镜结构, 第一级为由NMOS管形成的电流镜电路,第二级为由PMOS管形成的电流 镜电路,第一级与第二级电流镜电路相互连接,并且第二级的输出信号最终 耦合至位线。在第一级与第二级电流镜电路之间加入控制开关,控制读、写、 擦除操作电流的脉冲时序。所述的电流镜结构第二级电流镜电路采用共源共 栅或其改进电流结构,可抑制驱动电路中电流镜的沟道长度调制效应的影响, 从而使相变存储器的驱动电路镜像电流的误差减小或消除,并且后级负载对 前级电路的影响减弱,达到电流一 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2008-10-15 |
申请日期 | 2008-04-25 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200810036618.8 |
专利代理 | 潘振甦 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48827] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,沈菊,刘波,等. 相变存储器驱动电路. CN101286363. 2008-10-15. |
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