相变存储器驱动电路
宋志棠 ; 沈菊 ; 刘波 ; 封松林
2008-10-15
专利国别中国
专利号CN101286363
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种相变存储器驱动电路,其特征在于采用两级电流镜结构, 第一级为由NMOS管形成的电流镜电路,第二级为由PMOS管形成的电流 镜电路,第一级与第二级电流镜电路相互连接,并且第二级的输出信号最终 耦合至位线。在第一级与第二级电流镜电路之间加入控制开关,控制读、写、 擦除操作电流的脉冲时序。所述的电流镜结构第二级电流镜电路采用共源共 栅或其改进电流结构,可抑制驱动电路中电流镜的沟道长度调制效应的影响, 从而使相变存储器的驱动电路镜像电流的误差减小或消除,并且后级负载对 前级电路的影响减弱,达到电流一
是否PCT专利
公开日期2008-10-15
申请日期2008-04-25
语种中文
专利申请号200810036618.8
专利代理潘振甦
内容类型专利
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48827]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
宋志棠,沈菊,刘波,等. 相变存储器驱动电路. CN101286363. 2008-10-15.
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