| 一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法 | |
| 吴亚明 ; 李明 ; 崔丽萍 ; 李四华 | |
| 2004-12-29 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1558260 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法，其特征在于采用掺杂锗的二氧化硅基片，利用集成电路工艺在SiO2基片上镀制一层掩模薄膜，并进行光刻、腐蚀工艺制作出波导布拉格光栅的掩模图形，再利用紫外光源在二氧化硅基片表面上照射，使得二氧化硅基片的掺锗的波导芯层发生光学折射率变化，从而制作出波导布拉格光栅。用该方法制作布拉格光栅不仅简单易行，而且可以制作多种结构、多种参数的波导布拉格光栅，并可实现波导光栅的进一步集成，从而可降低成本，扩大波导光栅的应用范围，提高波导光栅的生产效率和成品率。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2004-12-29 |
| 申请日期 | 2004-01-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200410015772.9 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48721]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴亚明,李明,崔丽萍,等. 一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法. CN1558260. 2004-12-29. |
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