一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法 | |
吴亚明 ; 李明 ; 崔丽萍 ; 李四华 | |
2004-12-29 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN1558260 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法,其特征在于采用掺杂锗的二氧化硅基片,利用集成电路工艺在SiO2基片上镀制一层掩模薄膜,并进行光刻、腐蚀工艺制作出波导布拉格光栅的掩模图形,再利用紫外光源在二氧化硅基片表面上照射,使得二氧化硅基片的掺锗的波导芯层发生光学折射率变化,从而制作出波导布拉格光栅。用该方法制作布拉格光栅不仅简单易行,而且可以制作多种结构、多种参数的波导布拉格光栅,并可实现波导光栅的进一步集成,从而可降低成本,扩大波导光栅的应用范围,提高波导光栅的生产效率和成品率。 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2004-12-29 |
申请日期 | 2004-01-14 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200410015772.9 |
专利代理 | 潘振甦 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48721] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴亚明,李明,崔丽萍,等. 一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法. CN1558260. 2004-12-29. |
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