| 阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法 | |
| 朱大鹏 ; 王立春 ; 罗乐 | |
| 2007-11-14 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101071766 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的 制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧 化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽 薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ion-beam刻蚀工艺制备，再利用直流溅射 工艺将铝膜沉积在电阻薄膜之后进行铝多孔阳极氧化，电阻表面的铝膜被完 全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，可以得到精确的氮 化钽薄膜电阻，其电阻温度系数为-200～-50×10-6/℃。能够在室温～200 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-11-14 |
| 申请日期 | 2007-05-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710041402.6 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48493]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱大鹏,王立春,罗乐. 阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法. CN101071766. 2007-11-14. |
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