利用负折射率材料提高光在电磁波各波段时间相干性的方法 | |
蒋寻涯 ; 姚培军 ; 李伟 ; 韩文达 | |
2007-08-08 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101013162 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明提供了一种利用负折射率材料提高光在电磁波各波段时间相干 性的方法,其特征在于利用一平板负折射材料成像,像点某一时刻的场是由 源处不同时刻的场,经不同路径传播到像点并叠加的结果,获得相干性的提 高。传播路径越长,所需传播时间即群延迟时间越长。本发明提出可通过负 折射率超透镜提高源的相干性,并且这种相干性的提高完全不同于以往通过 高Q腔提高相干性的机理,它没有频率的过滤。本发明提出的提高光在各波 段的相干性方法与数值模拟进行对比,结果吻合的较好。显然,本发明在光 的相干研究和信息处理方面具有重要的物理意 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2007-08-08 |
申请日期 | 2007-01-30 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200710036986.8 |
专利代理 | 潘振甦 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48423] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋寻涯,姚培军,李伟,等. 利用负折射率材料提高光在电磁波各波段时间相干性的方法. CN101013162. 2007-08-08. |
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