| 减小相变存储器加热电极面积的方法 | |
| 吴良才 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 冯高明 ; 封松林 | |
| 2006-11-29 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1870314 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种减小相变存储器加热电极的方法，首先通过微纳加工技 术或亚微米CMOS标准工艺，在SiO2衬底上制备出较大直径的200-500nm 的孔洞，接着利用CVD或PVD技术在该孔洞中填充W、TiN等加热材料， 然后进行化学机械抛光，形成柱状加热电极。之后，在柱状加热电极上生长 量子点(如Si等)，然后将量子点氧化形成绝缘的物质(如SiO2等)，这样 就减小了柱状加热电极的有效面积，从而提高电流密度。本发明既避免了直 接制备100nm以下加热电极的困难，降低了制造成本，更重要的是降低相 变存储器的功耗 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2006-11-29 |
| 申请日期 | 2006-06-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610028107.2 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48315]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴良才,宋志棠,刘波,等. 减小相变存储器加热电极面积的方法. CN1870314. 2006-11-29. |
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