| 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法 | |
| 刘波 ; 宋志棠 ; 封松林 ; 陈邦明 | |
| 2005-03-23 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1599068 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2005-03-23 |
| 申请日期 | 2004-08-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200410053752.0 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48073]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘波,宋志棠,封松林,等. 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法. CN1599068. 2005-03-23. |
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