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	Trapping effects in CdSiO3 : In3+ long afterglow phosphor
	Kuang, JY; Liu, YL
	2006
卷号	23期号:[db:dc_citation_issue]页码:204
DOI	[db:dc_identifier_doi]
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WOS记录号	[DB:DC_IDENTIFIER_WOSID]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3339355
专题	暨南大学
作者单位	[1]Jinan Univ, Dept Chem, Guangzhou 510632, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Kuang, JY,Liu, YL. Trapping effects in CdSiO3 : In3+ long afterglow phosphor[J],2006,23([db:dc_citation_issue]):204.
APA	Kuang, JY,&Liu, YL.(2006).Trapping effects in CdSiO3 : In3+ long afterglow phosphor.,23([db:dc_citation_issue]),204.
MLA	Kuang, JY,et al."Trapping effects in CdSiO3 : In3+ long afterglow phosphor".23.[db:dc_citation_issue](2006):204.

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