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	Ab initio study of carrier mobility of few-layer InSe
	Sun, Chong; Xiang, Hui; Xu, Bo*; Xia, Yidong*; Yin, Jiang; Liu, Zhiguo
刊名	Applied Physics Express
	2016
卷号	9期号:3页码:035203-
ISSN号	1882-0778
DOI	10.7567/APEX.9.035203
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000371302600029;EI:20161102089270
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3317531
专题	中南大学
作者单位	1.[Xiang, Hui 2.Xu, Bo 3.Xia, Yidong 4.Sun, Chong 5.Yin, Jiang 6.Liu, Zhiguo 7.Xu, B] Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Jiangsu, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Sun, Chong,Xiang, Hui,Xu, Bo*,et al. Ab initio study of carrier mobility of few-layer InSe[J]. Applied Physics Express,2016,9(3):035203-.
APA	Sun, Chong,Xiang, Hui,Xu, Bo*,Xia, Yidong*,Yin, Jiang,&Liu, Zhiguo.(2016).Ab initio study of carrier mobility of few-layer InSe.Applied Physics Express,9(3),035203-.
MLA	Sun, Chong,et al."Ab initio study of carrier mobility of few-layer InSe".Applied Physics Express 9.3(2016):035203-.

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