| 直流电弧法制备硅纳米线及其电化学性能 | |
| 高铭; 杨昱霖; 程厅; 梁静爽; 董星龙 | |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 2018 | |
| 卷号 | 49页码:1191-1196 |
| 关键词 | 锂离子电池 负极材料 硅纳米线 VLS机制 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | [db:dc_identifier_wosid] |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3265990 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学 材料科学与工程学院,三束材料改性教育部重点实验室,辽宁 大连 116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高铭,杨昱霖,程厅,等. 直流电弧法制备硅纳米线及其电化学性能[J]. 功能材料,2018,49:1191-1196. |
| APA | 高铭,杨昱霖,程厅,梁静爽,&董星龙.(2018).直流电弧法制备硅纳米线及其电化学性能.功能材料,49,1191-1196. |
| MLA | 高铭,et al."直流电弧法制备硅纳米线及其电化学性能".功能材料 49(2018):1191-1196. |
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