一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法 | |
李晓娜; 王辰玉; 程肖甜; 利助民; 于庆潇 | |
2018 | |
权利人 | 大连理工大学 |
公开日期 | 2018-08-03 |
URL标识 | 查看原文 |
申请日期 | 2018-03-06 |
WOS记录号 | [db:dc_identifier_wosid] |
内容类型 | 专利 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3247923 |
专题 | 大连理工大学 |
作者单位 | 大连理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晓娜,王辰玉,程肖甜,等. 一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法. 2018-01-01. |
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