Diamond based field-effect transistors with SiNX and ZrO2 double dielectric layers | |
Wang, W.; Fu, K.; Hu, C.; Li, F. N.; Liu, Z. C.; Li, S. Y.; Lin, F.; Fu, J.; Wang, J. J.; Wang, H. X. | |
2016 | |
关键词 | Field-effect transistor Conduction channel Double dielectric layer SiNX/ZrO2 |
卷号 | 69 |
期号 | [db:dc_citation_issue] |
DOI | [db:dc_identifier_doi] |
页码 | 237-240 |
会议录 | DIAMOND AND RELATED MATERIALS |
URL标识 | 查看原文 |
ISSN号 | 0925-9635 |
WOS记录号 | [DB:DC_IDENTIFIER_WOSID] |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3225714 |
专题 | 西安交通大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, W.,Fu, K.,Hu, C.,et al. Diamond based field-effect transistors with SiNX and ZrO2 double dielectric layers[C]. 见:. |
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