Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms | |
J. Yang ; S.T. Liu ; X.W. Wang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; F. Liang ; W. Liu ; L.Q. Zhang ; H. Yang ; W.J. Wang ; M. Li | |
刊名 | SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
![]() |
2018 | |
卷号 | 113页码:34-40 |
语种 | 英语 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29336] ![]() |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | J. Yang ; S.T. Liu ; X.W. Wang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; F. Liang ; W. Liu ; L.Q. Zhang ; H. Yang ; W.J. Wang ; M. Li. Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms[J]. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2018,113:34-40. |
APA | J. Yang ; S.T. Liu ; X.W. Wang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; F. Liang ; W. Liu ; L.Q. Zhang ; H. Yang ; W.J. Wang ; M. Li.(2018).Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms.SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,113,34-40. |
MLA | J. Yang ; S.T. Liu ; X.W. Wang ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; P. Chen ; J.J. Zhu ; Z.S. Liu ; F. Liang ; W. Liu ; L.Q. Zhang ; H. Yang ; W.J. Wang ; M. Li."Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms".SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 113(2018):34-40. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论