靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响 | |
王贺权1; 沈辉2; 巴德纯1; 汪保卫3; 闻立时4 | |
刊名 | 真空
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2005 | |
卷号 | 042期号:001页码:11 |
ISSN号 | 1002-0322 |
英文摘要 | 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6 sccm,氧流量为15 sccm,溅射时间为30min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数五影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 |
语种 | 英语 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/19284] ![]() |
专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
作者单位 | 1.东北大学 2.中山大学 3.中国科学院广州能源研究所 4.中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王贺权,沈辉,巴德纯,等. 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响[J]. 真空,2005,042(001):11. |
APA | 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,&闻立时.(2005).靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响.真空,042(001),11. |
MLA | 王贺权,et al."靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响".真空 042.001(2005):11. |
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