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	界面效应对弱受限球形量子点异质结内电子能级的影响 Interface Effects on Energy Level in Weakly-confined Spherical Semiconductor Quantum dot Heterostructures
	郭富胜[1]; 赵铧[1]; 朱孟兆[1]; 李韦[1]
	2008
卷号	14页码:81-86
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3064858
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郭富胜[1],赵铧[1],朱孟兆[1],等. 界面效应对弱受限球形量子点异质结内电子能级的影响 Interface Effects on Energy Level in Weakly-confined Spherical Semiconductor Quantum dot Heterostructures[J],2008,14:81-86.
APA	郭富胜[1],赵铧[1],朱孟兆[1],&李韦[1].(2008).界面效应对弱受限球形量子点异质结内电子能级的影响 Interface Effects on Energy Level in Weakly-confined Spherical Semiconductor Quantum dot Heterostructures.,14,81-86.
MLA	郭富胜[1],et al."界面效应对弱受限球形量子点异质结内电子能级的影响 Interface Effects on Energy Level in Weakly-confined Spherical Semiconductor Quantum dot Heterostructures".14(2008):81-86.

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