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	不同结构nMOS管的总剂量辐射效应 Total Radiation Dose Effects of Different Structures nMOS Transistors
	闫旭亮[1]; 孟丽娅[1]; 袁祥辉[1]; 黄友恕[1]; 吕果林[1]
	2014
卷号	39页码:861-866
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3064007
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	闫旭亮[1],孟丽娅[1],袁祥辉[1],等. 不同结构nMOS管的总剂量辐射效应 Total Radiation Dose Effects of Different Structures nMOS Transistors[J],2014,39:861-866.
APA	闫旭亮[1],孟丽娅[1],袁祥辉[1],黄友恕[1],&吕果林[1].(2014).不同结构nMOS管的总剂量辐射效应 Total Radiation Dose Effects of Different Structures nMOS Transistors.,39,861-866.
MLA	闫旭亮[1],et al."不同结构nMOS管的总剂量辐射效应 Total Radiation Dose Effects of Different Structures nMOS Transistors".39(2014):861-866.

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