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	基于MEMS技术的三维氧化钌微电极准电容特性 Pseudo-Capacitive Behavior of Three-Dimensional Ruthenium Oxide Microelectrode Prepared by MEMS Technology
	文春明[1,2,3]; 温志渝[1,2,3]; 尤政[4]; 王晓峰[4]
	2013
卷号	11页码:74-78
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3062547
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	文春明[1,2,3],温志渝[1,2,3],尤政[4],等. 基于MEMS技术的三维氧化钌微电极准电容特性 Pseudo-Capacitive Behavior of Three-Dimensional Ruthenium Oxide Microelectrode Prepared by MEMS Technology[J],2013,11:74-78.
APA	文春明[1,2,3],温志渝[1,2,3],尤政[4],&王晓峰[4].(2013).基于MEMS技术的三维氧化钌微电极准电容特性 Pseudo-Capacitive Behavior of Three-Dimensional Ruthenium Oxide Microelectrode Prepared by MEMS Technology.,11,74-78.
MLA	文春明[1,2,3],et al."基于MEMS技术的三维氧化钌微电极准电容特性 Pseudo-Capacitive Behavior of Three-Dimensional Ruthenium Oxide Microelectrode Prepared by MEMS Technology".11(2013):74-78.

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