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	100nmP型超浅结制作工艺研究 Study on P-Type Ultra-Shallow Junction Process Using F Implantation and Rapid Thermal Annealing
	鲜文佳[1,2]; 刘玉奎[2,3]
	2010
卷号	40页码:145-148
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3057452
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	鲜文佳[1,2],刘玉奎[2,3]. 100nmP型超浅结制作工艺研究 Study on P-Type Ultra-Shallow Junction Process Using F Implantation and Rapid Thermal Annealing[J],2010,40:145-148.
APA	鲜文佳[1,2],&刘玉奎[2,3].(2010).100nmP型超浅结制作工艺研究 Study on P-Type Ultra-Shallow Junction Process Using F Implantation and Rapid Thermal Annealing.,40,145-148.
MLA	鲜文佳[1,2],et al."100nmP型超浅结制作工艺研究 Study on P-Type Ultra-Shallow Junction Process Using F Implantation and Rapid Thermal Annealing".40(2010):145-148.

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