100nmP型超浅结制作工艺研究 Study on P-Type Ultra-Shallow Junction Process Using F Implantation and Rapid Thermal Annealing | |
鲜文佳[1,2]; 刘玉奎[2,3] | |
2010 | |
卷号 | 40页码:145-148 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3057452 |
专题 | 重庆大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 鲜文佳[1,2],刘玉奎[2,3]. 100nmP型超浅结制作工艺研究 Study on P-Type Ultra-Shallow Junction Process Using F Implantation and Rapid Thermal Annealing[J],2010,40:145-148. |
APA | 鲜文佳[1,2],&刘玉奎[2,3].(2010).100nmP型超浅结制作工艺研究 Study on P-Type Ultra-Shallow Junction Process Using F Implantation and Rapid Thermal Annealing.,40,145-148. |
MLA | 鲜文佳[1,2],et al."100nmP型超浅结制作工艺研究 Study on P-Type Ultra-Shallow Junction Process Using F Implantation and Rapid Thermal Annealing".40(2010):145-148. |
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